Samsung Electronics hat einen bedeutenden Durchbruch auf dem Markt für Speicher mit hoher Bandbreite erzielt, indem sein HBM4-Speicher der nächsten Generation bei Geschwindigkeits- und Energieeffizienztests für Nvidias kommenden KI-Beschleuniger Vera Rubin die Konkurrenz übertraf Wirtschaftszeitung Maeil. Bei einem Besuch letzte Woche bestätigten Nvidia-Vertreter, dass Samsung „die besten Ergebnisse in der Speicherbranche“ lieferte, was zu einer Nachfrage nach Liefermengen führte, die weit über den internen Prognosen von Samsung lagen. Dieser Erfolg stellt eine dramatische Kehrtwende gegenüber der HBM3E-Generation dar, bei der Samsung fast ein Jahr hinter der Konkurrenz zurückblieb. Die Trendwende wird auf eine risikoreiche technische Strategie zurückgeführt, bei der Samsung den D1b-DRAM-Prozess komplett übersprungen hat, um direkt zum 10-Nanometer-D1c-Prozess überzugehen. Durch die Kombination dieses neuen DRAM mit Logikchips, die in einem 4-Nanometer-Gießverfahren hergestellt wurden, erreichte Samsung als erster Hersteller Datenübertragungsgeschwindigkeiten von mehr als 11 Gigabit pro Sekunde. Während SK Hynix einen Vorsprung von rund drei Monaten hat und bereits mit der Lieferung kostenpflichtiger Muster begonnen hat, hat Samsung den Abstand zur Vorgängergeneration erfolgreich verringert. Die Marktdaten spiegeln diese Erholung wider: Samsung eroberte im dritten Quartal 2025 mit einem Anteil von 22 % den zweiten Platz im HBM-Markt zurück und überholte Micron. Es wird erwartet, dass die Verträge im ersten Quartal 2026 formalisiert werden. Die vollständigen Lieferungen sind für das zweite Quartal geplant, um den Zeitplan von Nvidia einzuhalten Vera Rubin Plattformstart im dritten Quartal 2026.
